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 設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)

（1）    應(yīng)力雙折射測試分辨率：1nm; 測試精度：2nm;

（2）    圖像分辨率：1024*1224 像素（應(yīng)力雙折射圖像）；2048*2448（原始圖像）；

（3）    物鏡工作距離：7.2mm-60mm; 視場大小：0.1mm-6mm。 (該項(xiàng)指標(biāo)與物鏡倍數(shù)有關(guān)，可以選擇/更換);

（4）    微型爐加熱范圍：室溫-400°C。

（5）    總重：10Kg以內(nèi)；

 應(yīng)用實(shí)例

（1）    實(shí)時(shí)觀察TSV周圍芯片的應(yīng)力隨溫度的變化

無熱歷史的TSV試件在加熱過程中，應(yīng)力先增后減，冷卻過程中應(yīng)力持續(xù)增加，至室溫時(shí)應(yīng)力達(dá)到最大值，由此揭示了TSV結(jié)構(gòu)中的界面滑移現(xiàn)象。

（2）測壓MEMS器件封裝后的殘余應(yīng)力

該設(shè)備采用像素偏振相機(jī)記錄圖像，并采用新型算法，在不需要轉(zhuǎn)動任何光學(xué)元件的前提下，通過一次拍照即可同時(shí)測出試件的應(yīng)力雙折射場和主應(yīng)力方向場。由此帶來的設(shè)備的優(yōu)勢是：（1）可以實(shí)現(xiàn)試件的快速/實(shí)時(shí)測量；（2）設(shè)備結(jié)構(gòu)和操作簡單；